Samsung запускает производство флеш-памяти по технологии 20нм

Южнокорейская компания Samsung Electronics объявила о начале производства чипов NAND памяти, соответствующих нормам 20 нм класса. Новая память предназначена для использования в карточках стандарта Secure Digital (SD), а также во встраиваемых решениях на базе флеш-памяти. Сообщается, что чипы NAND памяти с многоуровневыми ячейками (MLC), обладающие плотностью в 32 Гбит и производимые по передовой 20 нм технологии, позволят увеличить емкость выпускаемых Samsung карт памяти для мобильных телефонов, а также высококлассных IT продуктов и высокопроизводительных карт памяти. Последние применяются, к примеру, в зеркальных фотокамерах. Известно, что память MLC NAND от Samsung, соответствующая нормам 20 нм класса, обладает на 50 процентов большей производительностью, чем аналогичные решения 30 нм класса. К примеру, быстродействие SD карты емкостью 8 Гб, созданной на базе 20 нм памяти, на 30 процентов выше, чем у продукта на основе 30 нм памяти. Новые SD карты способны обеспечить скорость чтения и записи данных в 20 и 10 Мб/с соответственно, что дает им возможность претендовать на рейтинг Class 10. Первые образцы таких карт уже отгружаются заказчикам, а массовое производство начнется до конца 2010 года.

Поделиться: Код для блога: Livejournal Я.ру Livinternet.ru раскрыть <div style="width:100% !important; padding:0 !important;"><div style="width:100% !important; height:54px !important; #3268B2; !important;"><a href="http://creep.ru/"><img src="http://creep.ru/templates/Default/images/new/logo_s.gif" width="52" height="52" alt="Creep.ru - Гаджеты и технологии" title="Creep.ru - Гаджеты и технологии" style="margin:5px 0px 0px 5px !important; border:0 !important; float: left;" /></a><h2 style="font-family: georgia, times new roman, serif !important; line-height:22px !important; font-weight:normal !important; font-size:22px !important; color:#b72e00 !important; margin:18px 20px 0px 20px !important; padding-left: 60px;"><a href="http://creep.ru/hardware/1161040882-samsung-zapuskaet-proizvodstvo-flesh-pamyati-po-texnologii-20nm.html" style="color:#b72e00 !important; text-decoration:none !important;">Samsung запускает производство флеш-памяти по технологии 20нм</a></h2></div><table cellpadding="0" cellspacing="0" width="100%"><tr><td style="background-color:#ffffff !important; border:1px solid #e9e9e9 !important; padding:0px !important;"><p style="font-family: tahoma, arial, sans-serif !important; font-size:13px !important; color:#000000 !important; margin:5 20px 20px 20px !important; padding:0 !important;"><a href="http://creep.ru/hardware/1161040882-samsung-zapuskaet-proizvodstvo-flesh-pamyati-po-texnologii-20nm.html" style="text-decoration:none !important; color:#000000 !important;"><div align="center"><!--dle_image_begin:http://creep.ru/uploads/posts/2010-04/1271752398_80641110041920nm32gbmlcnandeng.jpg|--><img src="http://creep.ru/uploads/posts/2010-04/1271752398_80641110041920nm32gbmlcnandeng.jpg" alt="Samsung запускает производство флеш-памяти по технологии 20нм" title="Samsung запускает производство флеш-памяти по технологии 20нм" /><!--dle_image_end--></div><br />Южнокорейская компания Samsung Electronics объявила о начале производства чипов NAND памяти, соответствующих нормам 20 нм класса. Новая память предназначена для использования в карточках стандарта Secure Digital (SD), а также во встраиваемых решениях на базе флеш-памяти. Сообщается, что чипы NAND памяти с многоуровневыми ячейками (MLC), обладающие плотностью в 32 Гбит и производимые по передовой 20 нм технологии, позволят увеличить емкость выпускаемых Samsung карт памяти для мобильных телефонов, а также высококлассных IT продуктов и высокопроизводительных карт памяти. Последние применяются, к примеру, в зеркальных фотокамерах. Известно, что память MLC NAND от Samsung, соответствующая нормам 20 нм класса, обладает на 50 процентов большей производительностью, чем аналогичные решения 30 нм класса. К примеру, быстродействие SD карты емкостью 8 Гб, созданной на базе 20 нм памяти, на 30 процентов выше, чем у продукта на основе 30 нм памяти. Новые SD карты способны обеспечить скорость чтения и записи данных в 20 и 10 Мб/с соответственно, что дает им возможность претендовать на рейтинг Class 10. Первые образцы таких карт уже отгружаются заказчикам, а массовое производство начнется до конца 2010 года.<span style="font-size:11px; background-color:#3268B2; color:white;">подробнее...</span></a></p></td></tr></table></div>